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DMN2016LFG
1.5
20
1.2
15
0.9
I D = 1mA
10
T A = 25°C
0.6
I D = 250μA
5
0.3
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
1.2
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
10,000
V DS = 10V
I D = 6 A
1,000
100
C iss
C oss
C rss
10
0
f = 1MHz
5 10 15
20
0
5
10 15 20 25 30 35
40
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Gate Charge
1
0.1
0.01
D = 0.9
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
R θ JA(t) (t) * R θ JA
D = 0.005
D = Single Pulse
=r
R θ JA = 160 ° C/W
Duty Cycle, D = t1/t2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 11 Transient Thermal Resistance
DMN2016LFG
Document number: DS32053 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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